Rastrovací sondový mikroskop

Mikroskop pracuje na princípe interakcie ihly, ktorej koncový rádius je menší ako 10 nm, s povrchom vzorky. Pri interakcii sa snímajú príťažlivé a odpudivé sily (AFM) alebo tunelový prúd medzi ihlou a vzorkou (STM/ STS). Mikroskop pracuje na vzduchu i v kvapaline pri izbovej teplote.

Meracie módy mikroskopu sú:

AFM – atómová silová mikroskopia:
- Magnetická silová mikroskopia
- Elektrostatická silová mikroskopia
- Fázová silová mikroskopia
- Kapacitná silová mikroskopia
- Laterálna silová mikroskopia
- Nanolitografia (lokálna oxidácia, škrabanie)

STM/STS - rastrovacia tunelová mikroskopia / spetroskopia:
- STM topografia (konštantný prúd, konštantná výška)
- STM nanolitografia



Rastrovací sondový mikroskop s antivibračným stolíkom



Atómové rozlíšenie povrchu grafitu snímaného pomocou STM v režime konštantnej výšky (rastrovaná plocha 2,2 x 2,2 nm2)



Dizajn jednoelektrónového tranzistora vytvoreného na 10 nm titánovej vrstve pomocou AFM lokálnej oxidácie (veľkosť snímanej plochy / rastrovaná plocha 1,8 x 1,8 m2)



Nanobodky formované AFM lokálnou oxidáciou na Ti vrstve veľkosti pod 100 nm (veľkosť snímanej plochy / rastrovaná plocha 2 x 2 m2)



MgB2 mostík premenlivej hrúbky vytvorený pomocou AFM škrabania (AFM scratching)